Eto tek opcenito o ovoj vrlo sirokoj temi - ideja je staviti kakvu diskusiju o VFET/SIT tehnologiji, kao i raznim 'simulacijama' pojacivackih elemenata s triodnim karakteristikama.
Za pocetak, na zahtjev iz druge teme, simulacija triode koristeci 'Schade' povratnu vezu i linerani Siliconix VMOS 2N6658:
Ove se karakteristike dobiju spajanjem lokalne povratne veze oko MOSFET-a - otpor izmedju D i G je 10k, a 'ulazni' (gate stopper) otpornik je 1k. Spoj otpora 10k i 1k je spojen na G MOSFET-a, a ulazni naponski signal ide izmedju drugog kraja 1k otpora i S MOSFET-a. Naravno, ovaj element ima poprilicno nizak ulazni otpor, prakticno jednak Rg. Za primijetiti je polozaj krivulje sa ulaznim naponom nula - ovaj element moze raditi i u modu osiromasenja i obogacenja.
Sam 2N6658 je na zalost vrlo rijedak i interesantan MOSFET koji je tesko nabavljiv... dok se malo ne potraze podaci o ruskim klonovima. Radi se o prilicno velikom MOSFET-u u TO-3 kucistu, s Vdsmax=90V i Idmax=2A.