Gašo napisao:Kad će stvarna izvedba tog sklopa i slušanje?
Neće barem za mjesec dana...biti ću na otoku, ali ako bude sreće (i vremena) mogao bih razviti brzinsku testnu pločicu.
ilimzn napisao:U stvarnosti, mislim da ce ti biti od interesa staviti source otpor(e) radi izjednacavanja karakteristika N i P MOSFET-a. Srecom, imas tracer
pa mozes to i probati. Da, postoje uvijek tolerancije ali prate se izmedju N i P (s tim da pripremi se na rasap karakteristika kod P kanala.....)
Tako sam i nekako planirao, zero Ohm na P-kanalu, a na N-kanalu ono što uparivanje na traceru pokaže. Kad je uparivanje kod istog kanala u pitanju, moja iskustva su da sam uspio između 20 komada (bulk) Zetex ZVP3310A P-ch naći 2+2 poprilično dobro uparena, izlazni DC offset +/-1mV max. pri gain=27 ako se dobro sjećam.
Ima jedna stvar koju sam zapazio i želio bih istaknuti...sve nekako upućuje na to da je bolje imati što manje i linearnije parazitne kapacitete nego veći gm kod fetova, barem kada je TIS/VAS stupanj u pitanju. Tada je moguće isti sklop jednostavnije kompezirati s manje vanjskih kapaciteta (koji su usput rečeno linearniji nego parazitni u samim fet-ovima), te na taj način manje opterećujemo VAS/TIS i/ili neki drugi stupanj. U prvom stupnju, kada želimo max. pojačanje i min. izobličenja, nema zamjene do čiste sile, mnogo struje + fetovi s visokim gm...Naravno, eve premise ne uzimaju kaskodu kao moguće rješenje za oba slučaja.